Супер практически съвети: Изисквания и методи за проверка на електронни компоненти----Полупроводникови устройства (2-Какво е триод 2）

https://www.kaichuanpower.com/

Тръба с полеви ефект: MOS тръба с полеви ефекти е металооксидно-полупроводникова тръба с полеви ефекти, английското съкращение е MOSFET (метал-оксид-полупроводников полеви транзистор), което е изолиран тип порта.
The basic working principle of the metal oxide semiconductor field effect transistor is to rely on the electric field effect on the surface of the semiconductor to induce a conductive channel in the semiconductor to work. When the gate G voltage VG increases, the majority carriers and holes on the surface of the p-type semiconductor gradually decrease and are exhausted, while the electrons gradually accumulate to the inversion type. When the surface reaches inversion, the electron accumulation layer will form a conductive channel between the n+ source region S and the n+ drain region D. When VDS≠0, a large current IDS flows between the source and drain electrodes. The gate-source voltage required to make the semiconductor surface reach a strong inversion state is called the threshold voltage VT. When VGS>VT приема различни стойности, проводимостта на инверсионния слой ще се промени и различни IDS ще бъдат генерирани под един и същ VDS, реализирайки контрола на напрежението порта-източник VGS върху тока източник-изтичане IDS.
Класификация на полевия ефект: Полевите транзистори включват основно свързващи полеви транзистори (JFET) и полеви транзистори с изолиран затвор (IGFET). Субстратът (B) на транзистора с полеви ефект на изолирания затвор е свързан към източника (S). Трите му полюса са гейт (G), дрейн (D) и източник (S). Транзисторите се делят на NPN и PNP транзистори и техните три полюса са база (b), колектор (c) и емитер (e). Полюсите G, D и S на транзистора с полев ефект имат подобни функции на полюсите b, c и e на транзистора. Разликата между транзисторите с ефект на изолиран тип порта и транзисторите с полеви ефект на свързване е, че техните проводими механизми и принципи на управление на тока са фундаментално различни. Тръбите от съединителен тип използват промяната в ширината на зоната на изчерпване, за да променят ширината на проводящия канал, за да контролират дренажния ток. Транзисторите с полеви ефект на Insulation Gate използват ефекта на електрическото поле върху повърхността на полупроводника и количеството електрически индуциран заряд, за да променят проводящия канал, за да контролират тока. Разликата в техните свойства означава, че свързващите полеви транзистори често се използват във входното стъпало (предварително стъпало) на усилватели на мощност, докато полеви транзистори с изолиран затвор се използват в крайното стъпало (изходно стъпало) на усилватели на мощност. Принципът на работа на полевия транзистор е същият като този на триода, с изключение на това, че единият от тях е компонент с управление на напрежението, а другият е компонент с управление на тока. Полевият транзистор има само един PN преход, както е показано на фигура 1-1